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首頁-企業(yè)新聞-PECVD管式爐的爐體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和用途介紹

PECVD管式爐的爐體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和用途介紹

更新時(shí)間:2021-04-23      點(diǎn)擊次數(shù):1453
   PECVD管式爐配有等離子射頻電源,開啟式管式爐(帶有真空法蘭和連接管道)及一個(gè)直聯(lián)式雙旋機(jī)械泵。此套設(shè)備模型可組合為不同類型的PECVD系統(tǒng),且設(shè)備性價(jià)較為理想。
 
  PECVD管式爐的爐體結(jié)構(gòu):
  采用雙層殼體結(jié)構(gòu),并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)。
 
  ·爐膛采用高純多晶氧化鋁纖維,更大程度的減少能量損失。
 
  ·內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口1750度高溫氧化鋁涂層可以提高反射率及設(shè)備的加熱效率,同時(shí)也可以延長儀器的使用壽命。
 
  ·可選購移動(dòng)爐架,方便爐體的移動(dòng)。
 
  ·產(chǎn)品特點(diǎn):
  ?射頻電源可實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)從而顯著降低實(shí)驗(yàn)溫度;
 
  ?整套設(shè)備尺寸小巧;
 
  ?可通過工藝調(diào)節(jié)來控制化學(xué)計(jì)量;
 
  ?可通過射頻電源的頻率來進(jìn)行控制薄膜的應(yīng)力。
 
  PECVD管式爐的主要用途:
  1、利用等離子體聚合法可以容易地形成與光的波長同等程度的膜厚。這樣厚度的膜與光發(fā)生各種作用,具有光學(xué)功能性。即:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于這種性質(zhì)的存在,低溫沉積Si3N4減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
 
  2、用于集成光電子器件介質(zhì)SiYNX膜的制備,如半導(dǎo)體集成電路的襯底絕緣膜、多層布線間絕緣膜以及表面純化膜的生長。
 
  3、在電子材料當(dāng)中可制成無針孔的均一膜、網(wǎng)狀膜、硬化膜、耐磨膜等。
 
  4、在半導(dǎo)體工藝中不僅用于成膜,而且用于刻蝕,也是一個(gè)較為理想的設(shè)備,它可刻0.3μm以下的線條。

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